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半導體奈米技術(精)
Nanometer Technology for Semiconductor
作 者：
龍文安
出版社別：
五南
書 系：
半導體系列叢書
出版日期：2014/02/19(3版2刷)
ＩＳＢＮ：978-957-11-5936-2
書 號：5D58
頁 數：1008
開 數：16K
剩餘庫存：0本
剩餘庫存量非即時庫存量，若仍有購買需求請洽詢客服或業務分機824、889。
定 價：1200元
優惠價格：1080元
試閱
未來數年，半導體量產線幅當推進至巧奪天工之5奈米半間距，光學微影製程之難度日益增加，對製程工程師之挑戰亦日益升高。本書對相關領域讀者應有所助益與參閱價值。 半導體製程已進入奈米線幅，而廣義微影技術為半導體製程之核心，惜國內尚無中文微影技術專書，因此決定教研之餘撰寫本書，以彌補此缺憾與空白，並為推動科技中文化，略盡個人棉薄。 本書重點在微影技術原理與概念之說明，而不在生產線上實務細節之描述。內容包括微影技術全部重要內涵，例如微影製程、微影光學、主要微影方法、其他微影方法、圖罩與圖規、阻劑、解像度增進技術、銅互連線、化學機械研磨、電漿蝕刻與光學微影模擬。基於多年在交通大學應用化學研究所之教學經驗，本書亦包含瞭解微影技術必要之矽製程背景知識與基礎光學。
龍文安 現職：國立交通大學應用化學系暨研究所教授 學歷：美國杜蘭(Tulane)大學化學博士
第一章背景知識
1-1 電子自旋、角動量與磁矩
1-2 量子數
1-3 多重態與異態間跨越
1-4 電子迴轉
1-5 光子與電子波粒二重性、有效質量與動量
1-6 測不準原理
1-7 電子流與電流反向
1-8 固體之價帶與導帶－較簡單說明（較進階說明在後）
1-9 帶隙能（能隙）
1-10 費米能階
1-11 能帶相關易誤解觀點
1-12 離子化能
1-13 工作函數
1-14 束縛能
1-15 電子親和能
1-16 電子親和能EA、離子化能IP、工作函數WF與束縛能BE 之異同
1-17 金屬與半導體接觸
1-18 電子發射、蕭特基效應與穿隧效應
1-19 傳統晶胞、晶面與晶向表示法
1-20 軌域電子、傳導電子與自由電子之差異
1-21 布洛赫波
1-22 倒晶格、波向量與布里路因區之簡易說明
1-23 固體之價帶與導帶－較進階說明
1-24 奈米晶體
1-25 穿隧效應
1-26 二氧化鈦光觸媒
1-27 磁性介質分類
1-28 介電材（絕緣材）與各式應用
1-29 去氧核糖核酸與微電子
1-30 分光儀與能隙
1-31 四點探針與片電阻
1-32 品管標準差三西格馬與六西格馬
第二章微影緒論
2-1 緒論
2-2 摩爾定理相關議題
2-3 本世代與後光學微影之選擇
2-4 芯片技術重要進展簡介
2-5 電子元件使用之材料
2-6 重要補充
第三章微影製程概述
3-1 晶圓清潔
3-2 長氧化層
3-3 上底材(Priming)
3-4 上阻劑(Resist Coating)
3-5 軟烤
3-6 冷板冷卻
3-7 微影方法
3-8 照後理
3-9 照後延
3-10 照後烤
3-11 顯影
3-12 清洗
3-13 硬烤或光安定
3-14 電漿除渣
3-15 圖案轉移
3-16 阻劑清除與元件清潔
3-17 回火與快熱製程
3-18 化學機械研磨
3-19 微影製程實際應用於製備場效電晶體
3-20 場效電晶體研發舉例
3-21 碳奈米管製備場效電晶體可行性研究
第四章基礎光學
4-1 光速與光性質之新發現
4-2 折射率(n)與全反射
4-3 折射率(n)與虛項吸收係數(k)
4-4 虛項吸收係數(k)與機率吸收係數(a)
4-5 折射率(n)與介電常數(k)
4-6 反射率、反射係數、光束電場振幅（光幅）與光束光強度（光強）
4-7 吸收度、比爾吸收係數、吸收長度與三種吸收係數定義
4-8 透射度、透射率、反射度、反射率與修正方法
4-9 薄膜折射率(n)與虛項吸收係數(k)測求
4-10 夫朗和費(Fraunhofer)與菲涅耳(Fresnel)繞射
4-11 準分子（激雙子）雷射簡介
4-12 透鏡之雙折射
4-13 透鏡之色心
4-14 透鏡之縮密
4-15 透鏡之像差
4-16 透鏡材料與性質
4-17 透鏡之聚光當量（數值孔徑）與f-值
第五章微影光學
5-1 空間影像對比度（簡稱像比）
5-2 成像對數斜率
5-3 門檻光強
5-4 光源、同調度、相擾度、干涉、間距、光幅與成像性質
5-5 單與多狹縫繞射、圓孔繞射、瑞利規範與其他規範
5-6 微影機台之解像度與阿貝規範
5-7 空間頻率、截止頻率與低通濾波
5-8 微影解像度歸納與前瞻
5-9 焦深
5-10 照射離焦解像度關係圖
5-11 空間影像對比增強
5-12 迪耳照射參數
5-13 阻劑側壁輪廓之駐波效應
5-14 因晶圓反射導致之阻劑擺動效應
5-15 因圖罩距離導致之阻劑擺動效應
5-16 阻劑之雷射干涉
5-17 抗反射塗佈
第六章主要微影方法
6-1 成像系統
6-2 步進機與掃描機
6-3 照射景域、晶方與晶粒
6-4 註冊、對準與疊對
6-5 近紫外光汞弧燈365 奈米I-線微影
6-6 雷射描圖機
6-7 氟化氪(KrF) 248 奈米準分子雷射微影
6-8 氟化氬(ArF) 193 奈米準分子雷射微影
6-9 氟(F2) 157 奈米激雙子雷射微影
6-10 氬(Ar2) 126 奈米激雙子雷射微影
6-11 極短紫外光(Extreme UV, EUV)13 奈米微影
6-12 近場微影－準分子雷射微型滴管直寫
6-13 軟X 光微影
6-14 軟X 光聚焦環陣列微影(Zone Plate Array Lithography, ZPAL)
6-15 正規電子束微影
6-16 多重束與多重柱電子束微影
6-17 低能電子束微影
6-18 電子束投影式微影－限角散射投影式電子束微影
6-19 電子束投影式微影－變軸浸入式透鏡投影縮小照射
6-20 混同微影(Hybrid Lithography)
6-21 掃描探針微影
6-22 無阻劑微影
6-23 聚焦離子束微影
6-24 離子束投影式微影
第七章其他微影方法
7-1 濕浸式微影
7-2 干涉微影
7-3 奈米壓印微影或軟微影
7-4 深刻模造微影
7-5 較少見之其他微影
第八章圖罩與圖規
8-1 傳統圖罩
8-2 攜合圖罩或原位圖罩
8-3 圖罩設計與製備準則
8-4 相移圖罩原理
8-5 相移圖罩基本分類與特性
8-6 基本型衍生之特殊相移圖罩與未來應用趨勢
8-7 相移圖罩側葉光強之消除或降低
8-8 嵌附層（減光相移層）材質
8-9 相移角度與相移層需要厚度計算法
8-10 極短紫外光(EUV)微影圖罩
8-11 軟X 光微影圖罩
8-12 電子束直寫導致X 光圖罩圖案之變形
8-13 電子束微影圖罩與圖規
8-14 散射式圖罩(Scattering Mask)與散射式圖規(Scattering Stencil)
8-15 離子束微影圖罩與圖規
8-16 傳統鉻膜圖罩與相移圖罩修補
第九章阻劑化學
9-1 量子化學
9-2 阻劑簡介
9-3 傳統有機正型阻劑
9-4 傳統有機負型阻劑
9-5 傳統有機雙型阻劑
9-6 化學放大型阻劑配方與原理簡介
9-7 電子束、X 光用化學放大正型阻劑
9-8 電子束、X 光用化學放大負型阻劑
9-9 KrF 248 奈米化學放大正型阻劑
9-10 KrF 248 奈米化學放大負型阻劑
9-11 ArF 193 奈米化學放大正型阻劑
9-12 ArF 193 奈米化學放大負型阻劑
9-13 F2 157 與EUV 13 奈米化學放大正型阻劑
9-14 化學放大型阻劑環境安定性相關議題
9-15 化學放大型阻劑增強抗電漿蝕刻性相關議題
9-16 化學放大型阻劑之質子酸相關議題
9-17 阻劑之逸氣與防治方法相關議題
9-18 化學放大型阻劑(CAR)其他相關議題
9-19 無機阻劑
9-20 特殊阻劑
9-21 阻劑顯影特性相關參數
9-22 溶劑與非結晶高分子之溶解理論
9-23 微影整體模糊
9-24 傳統（非化學放大）與化學放大型阻劑之品質需求
第十章解像度增進技術
10-1 遮板偏軸發光
10-2 無遮板偏軸發光
10-3 光瞳濾波
10-4 聚焦寬容度增強照射
10-5 雙圖罩
10-6 應用偏軸發光之暗場微影與單光束成像
10-7 光學鄰近效應
10-8 圖罩偏差增大因子
10-9 光學鄰近效應修正方法
10-10 電子束鄰近效應修正
10-11 電子束微影時之電荷效應與電荷消散
10-12 表層成像
10-13 接觸孔或隙之收縮製程
10-14 抗反射塗佈
10-15 多層阻劑系統
10-16 金屬浮離(Metal Lift-Off)
10-17 影像反轉(Imaging Reversal, IR)
10-18 雙照射、雙成型與多次成型
10-19 其他製程
10-20 光學微影之迷思與誤解
第十一章銅互連線
11-1 電阻電容延遲時間
11-2 金屬導線性質
11-3 擴散
11-4 金屬原子（正離子）之遷移
11-5 矽在金屬中之溶解度
11-6 電子與電洞之漂動率
11-7 介電材、介電常數、介電強度、電容
11-8 可極化係數
11-9 低介材
11-10 超低介材
11-11 阻障層、銅種晶層與帽層材質需求
11-12 阻障層、銅種晶層與帽層之製備
11-13 互連線銅之製備
11-14 銅之電漿蝕刻
11-15 鑲嵌技術
11-16 低介材、阻障層、銅種晶層、帽層、銅互連線之製備綜合評述
11-17 銅鑲嵌製程整合相關議題
11-18 銀連線
11-19 銅鑲嵌製程未來趨勢歸納
第十二章化學機械研磨
12-1 為何使用化學機械研磨
12-2 基礎理論公式－普瑞斯頓公式
12-3 研磨漿
12-4 研磨墊、整面墊與研磨墊調護片
12-5 研磨產生之相關缺陷
12-6 全面平坦化方法
12-7 重要參數
12-8 碟陷與侵蝕
12-9 重要模擬模型
12-10 整面與預清潔
12-11 化學機械研磨後清潔
12-12 平坦化技術研發方向與目標
第十三章電漿蝕刻
13-1 電子迴轉半徑
13-2 電場主要對電子作功
13-3 電漿中電子之溫度
13-4 離子迴轉半徑遠大於電子
13-5 外加磁場與電子之振盪
13-6 電漿基本性質
13-7 直流電漿蝕刻系統
13-8 交流直接耦合電漿蝕刻
13-9 交流電容性耦合電漿蝕刻
13-10 電漿蝕刻主要機制
13-11 電漿蝕刻主要效應
13-12 電漿蝕刻主要儀器
13-13 其他蝕刻儀器
13-14 電漿蝕刻機制排序
13-15 電漿蝕刻終點偵測
13-16 電漿蝕刻電腦模擬
13-17 電漿蝕刻未來重要議題
第十四章微影模擬
14-1 微影製程電腦模擬軟體
14-2 電向量E 與電向分量P、S
14-3 光學微影模擬數學模型
14-4 照後烤模擬模型
14-5 化學放大型阻劑模擬模型
14-6 阻劑顯影模型
14-7 顯影模型綜評
附錄一電子伏特(eV)能量之換算
附錄二本書常用單位與名詞
附錄三氧化矽、吸收係數分類
附錄四常用材質光學參數
附錄五折射率─虛項吸收係數分析儀(n-k Analyzer)內建可量測材質
附錄六常用各式能量
各章通用參考文獻
英中索引
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