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理工
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電機資訊類
-
電機
深次微米矽製程技術
作 者:
張勁燕
出版社別:
五南
出版日期:2003/04/29(1版2刷)
ISBN:957-11-2828-7
書 號:5D41
頁 數:552
剩餘庫存:0本
剩餘庫存量非即時庫存量,若仍有購買需求請洽詢客服或業務分機824、889。
定 價:630元
優惠價格:504元
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投影片(請電洽,僅供老師索取)
矽積體電路製程的特徵及尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter),經歷幾個階段,0.35μm、0.25μm、0.18μm;有可能在不久的將來到達0.13μm、0.10μm,甚或到達極限值的0.07μm。相關的製程、設備、材料或廠務設施,都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿;降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electroplating)、無電極電鍍(electroless plating)和/或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大為12吋,為的不止是提高良率、提高機器使用率;也考慮到生產力,節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。 本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生,或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。
●張勁燕 現職:逢甲大學電子工程系副教授 學歷:交通大學電子工程系研究所博士 經歷:新加坡Intersil電子公司工程師 ITT環宇電子公司工程部經理 台灣電子電腦公司半導體廠廠長 萬邦電子公司總工程師 明新工專電子科副教授(或兼科主任) 逢甲大學電機系副教授(或兼系主任) 專長:半導體元件、物理 VLSI製程設備及廠務 奈米科技 積體電路構裝
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