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傅寬裕
學歷：
美國Chicago大學物理學博士
經歷：
台灣大學物理學系教授
半導體工業界經驗近30年：任職於Texas Instruments,Motorola,UMC,ISSI等半導體公司
IEEE Journals／IRPS 論文審查委員/技術委員會委員
著作：
國際學術期刊／會議論文發表60多篇
美台專利權36件
中文書《基礎力學》(2003出版)
翻譯Sander Bais著Very Special Relativity 一書
譯名《圖解愛因斯坦相對論》(即將出版)
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第１章 緒 論
1.1 半導體
1.2 半導體 IC 產品的製造流程
1.3 基本可靠度觀念
1.4 產品可用壽命
參考文獻
第２章 可靠度壽命分布模型
2.1 指數分布模型
2.2 常態與對數常態分布模型
2.2.1 常態分布模型
2.2.2 對數常態分布模型
2.3 韋伯分布（Weibull distribution）模型
2.4 浴缸曲線（bathtub curve）
2.4.1 早夭期（infant mortality period）
2.4.2 有用生命期（useful life period）
參考文獻
第３章 半導體 IC 元件的基本可靠度問題
3.1 介電質的崩潰（dieletric breakdown）
3.2 電晶體的不穩定度
3.2.1 離子污染
3.2.2 熱載子射入
3.2.3 負偏壓溫度不穩定度（NBTI）
3.3 金屬導體的電遷移（electromigra-tion，簡稱 EM）
3.4 靜電放電引起的潛藏性傷害
3.5 CMOS 寄生雙載子電晶體引起的電路閂鎖及其傷害
3.6 粒子造成的軟性錯誤（soft error）
參考文獻
第４章 半導體 IC 封裝的可靠度問題
4.1 封裝或晶粒的裂開
4.2 金屬導線的腐蝕
4.3 連接線的脫落
4.4 封裝主要可靠度問題的表列
4.5 封裝可靠度測試
參考文獻
第５章 半導體 IC 產品量產的認證過程
5.1 量產前可靠度認證的一般規格
5.2 晶粒可靠度認證測試
5.2.1 元件可靠度認證測試
5.2.2 產品可靠度認證測試
5.3 封裝可靠度認證測試
5.4 比較嚴格的車規認證
參考文獻
第６章 故障分析
6.1 故障分析的工具／技術
6.2 電性與物性故障分析
6.3 常見的故障模態／機制
6.4 減少故障率的未來方向
參考文獻
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