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Updated on 20220919

::補述 予 章節::


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2022/07/05補述習題3.1

==>所論A 於 題目中 指放大器的放大倍率。


2022/07/05補述3.4.2小節

==>文中說"拜電感之賜, 當跨壓高時部分電能被儲存在電感上"。

因為磁特性和0阻值 於 理想態,所以理想電感可以產生跨壓 和 電流卻不消耗功率。

用簡單的積分,咱可知要電感L有電流I需做功(1/2)*L*I^2。這能量被存在電感上,可以稍後再被釋放給負載。

所以,所謂不消耗功率,不是指不是不需做功就能建立電流。

而是指做功建立電流後,好比建立了勢能,電感本身不浪費它,稍後負載再消耗該能量 于 熱能動能等形式。

2022/07/05補述3.5.3小節

==>圖3-31(B)中,縱軸下方有個-80dB,只是個例子,表示常見的穩壓電路在低頻處能壓制電源噪聲 于 幾個數量級。

所以若取法圖3-31(A) 去 表達(B)圖,則其高處就在80dB。當然實際源抗比可據有其它數字。


2022/07/04補述3.3.1小節

==>表格3-1中,LDO的效能其實可以有不同的評價 在 不同的角度。

比如若LDO的dropout僅1/10於VDD,且負載遠大於靜態電流,則其實效率並不差,甚至可好過CP。

若dropout大,比方佔3/5於VDD,則確實效率低下。因此表中所謂"效能"可因情況而異。


2022/05/01補述小節3.2.1

==>如下圖所示,左側展示書中分析 予 偏比鏡。今日有兩點補述關於此議。

==>首先,本圖未依本書手稿慣例,即藍色標示輸入、紅色標示輸出。

其次,若要做迴路分析 針對 偏比鏡 用 模擬器 去 驗證,

則量測電壓輸入vs電壓輸出較簡單,如圖右側所示。

右側圖展示一結果其不同於書中分析,即A、B兩點為穩態點且T點為介穩態點,其中A點不位於原點。

書中用圖3-5和圖3-6去呈現O、M、P三點,一方面是希望將電流和電壓解同時示於圖上,

另一方面也是一個近似簡化去講解概念。


==>讀者看右側圖即知,實際用極端情況模擬時,低壓穩態點不需要在原點。

設計者加裝啟動電路 予 偏比鏡,其實也就是要確保啟動時VBN能高於T點,

使得最終工作電壓穩定於可用的高處,而非低處

若讀者模擬 于 常溫,且模型腳在常態製程區,右側圖可能變成只有一個交點,代表不須外加啟動電路,電路也能正確地運作。

但這裡有個額外的問題,即電晶體模型不一定能準確預測MOS行為在關閉狀態,因此咱不能保證疊圖曲線整段都準確。

再加上製程會產生變異,難保產品實際特性不會有多個穩態點 在 某些情況。因此,加上一個啟動電路還是比較保險的。



2022/09/19補述3.9節

==>文中說注音符號上一列對應單筆號,在大部分情況下是對的。

少數幾個注音符號對應到雙拼的單筆號,即拼筆。


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